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概述
半导体激光气体分析系统基于国际领先的半导体激光吸收光谱技术（DLAS），即“单线光谱”测量技术。具体来说，就是通过测量具有某一特定吸收谱线的激光束在穿过被测气体时发生的衰减信息，并根据激光强度衰减与被测气体含量间的正比关系，分析获得被测气体的浓度。
与非分光红外气体分析技术相同,DLAS技术也是一种吸收光谱技术，它利用Beer-Lambert关系来定量分析半导体激光能量被被测气体选择吸收产生的衰减来获得气体的浓度。与传统非分光红外分析技术使用谱宽很宽且固定波长的红外光源不同，DLAS技术使用谱宽非常小(也就是单色性非常好) 且波长可调谐的半导体激光器作为光源。
技术指标
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类别 |
参数 |
指标 |
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技术指标 |
量 程 |
HCL：0-1000ppm |
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响应时间 |
≤1s |
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光通道长度 |
≤15m |
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线性误差 |
≤±1%量程/六个月 |
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量程漂移 |
≤±1%量程/六个月 |
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维护周期 |
<2次/年,清洁光学视窗（无消耗品需要） |
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标定周期 |
六个月 |
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防护等级 |
发射单元/接收单元：IP65 |
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防爆等级 |
ExpxmdⅡCT5（选配） |
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输出信号 |
模拟量输出 |
2路4－20mA电流（隔离、最大负载750Ω） |
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模拟量输入 |
2路4－20mA电流（温度、压力补偿） |
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通讯接口 |
RS485 |
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继电器输出 |
3路输出（继电器规格：24V，1A） |
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工作条件 |
电源 |
24V DC（18-36VDC，>20W） |
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吹扫气体 |
0.4－0.8MPa工业氮气或净化仪表气等 氮气纯度〉99.99% |
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环境温度 |
-30～-60℃ |
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安装 |
安装方式 |
DN50/PN2.5 法兰原位安装 |